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由Mg、C和Ni組成的三元合金系統(tǒng)具有超導(dǎo)電性。回答下列問題:
(1)基態(tài)Ni原子核外電子排布式為
[Ar]3d84s2
[Ar]3d84s2
。
(2)對羥基苯甲酸()具有防腐、防霉和殺菌等作用,其中C原子的雜化軌道類型為
sp2
sp2
,1mol對羥基苯甲酸中σ鍵數(shù)目為
16NA
16NA
。(NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值)
(3)對羥基苯甲酸()沸點(diǎn)比鄰羥基苯甲酸(
(填“高”、“低”或“相等”),原因是
兩個(gè)化合物都可以形成氫鍵,但前者因取代基在對位,易形成分子間氫鍵,沸點(diǎn)較高,后者因取代基在鄰位,易形成分子內(nèi)氫鍵,故沸點(diǎn)較低
兩個(gè)化合物都可以形成氫鍵,但前者因取代基在對位,易形成分子間氫鍵,沸點(diǎn)較高,后者因取代基在鄰位,易形成分子內(nèi)氫鍵,故沸點(diǎn)較低
。
(4)新型超導(dǎo)材料晶體的晶胞結(jié)構(gòu)中鎂原子和鎳原子位于頂點(diǎn)和面心,它們構(gòu)成兩種八面體空隙,一種由鎳原子構(gòu)成,另一種由鎳原子和鎂原子一起構(gòu)成,兩種八面體空隙的數(shù)量比是1:3,碳原子只填充在鎳原子構(gòu)成的八面體空隙中,沿晶胞立方格子對角線取得的截圖如圖所示。

①該新型超導(dǎo)材料的化學(xué)式為
MgCNi3
MgCNi3
。
②已知晶胞參數(shù)a=0.3812nm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,Mg的C配位數(shù)為
8
8
,該晶胞密度為
213
0
.
3812
3
×
N
A
×
1
0
21
213
0
.
3812
3
×
N
A
×
1
0
21
g?cm-3。(列出計(jì)算式即可)

【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算
【答案】[Ar]3d84s2;sp2;16NA;高;兩個(gè)化合物都可以形成氫鍵,但前者因取代基在對位,易形成分子間氫鍵,沸點(diǎn)較高,后者因取代基在鄰位,易形成分子內(nèi)氫鍵,故沸點(diǎn)較低;MgCNi3;8;
213
0
.
3812
3
×
N
A
×
1
0
21
【解答】
【點(diǎn)評】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/4/20 14:35:0組卷:68引用:5難度:0.5
相似題
  • 1.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數(shù)依次增大,其相關(guān)信息如下:
    ①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù);
    ②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對電子;
    ③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1;
    ④F原子有四個(gè)能層,K、L、M全充滿,最外層只有一個(gè)電子.
    試回答下列問題:
    (1)基態(tài)E原子中,電子占據(jù)的最高能層符號為
     
    ,F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為
     

    (2)B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
     
    (用元素符號填寫),C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為
     

    (3)B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性:BA4小于A2D,原因是
     

    (4)以E、F的單質(zhì)為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應(yīng)式為
     

    (5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,藍(lán)色沉淀溶解,得到深藍(lán)色溶液,再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇,析出深藍(lán)色晶體.藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為
     

    (6)F的晶胞結(jié)構(gòu)(面心立方)如圖2所示:已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為
     
    g/cm3(阿伏加德羅常數(shù)用NA表示,F(xiàn)的相對原子質(zhì)量用M表示)

    發(fā)布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5
  • 2.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
    (1)基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為
     
    ;其最外層電子的電子云形狀為
     

    (2)(NH42Fe(SO42?6H2O俗稱摩爾鹽
    ①NH4+電子式為
     

    ②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
     
    (用元素符號表示)
    ③SO42-中S原子的雜化方式為
     
    ,VSEPR模型名稱為
     
    。
    (3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
     
    ;晶體的配位體為
     
    (用化學(xué)符號表示)
    (4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為
     
    g?cm-3

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7
  • 3.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
    (1)基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為
     

    (2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
     
     
    ,所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為
     
    。
    (3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
     
    (由大到小,用H一R-H表示),其原因是
     
    。
    (4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
     
    。
    (5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
     
    g/cm3
    C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成),則平均每一個(gè)C60晶胞中有
     
    個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后,這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫(Cs)填滿所有空隙,距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為
     
     ?。

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4
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