蘇州大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)對(duì)LETO材料（LiCe_xEu_1-xTiO₄）的電化學(xué)性能進(jìn)行了研究，并基于微觀尺度對(duì)其進(jìn)行了改進(jìn)?；卮鹣铝袉?wèn)題：

（1）Ti的核外電子排布式為

[Ar]3d²4s²

[Ar]3d²4s²

；TiCl₄分子中，Ti原子的雜化方式為

sp³

sp³

。
（2）第一電離能順序：I_N＞I_O，原因是

N的價(jià)電子為2s²2p³，2p軌道是半充滿，比較穩(wěn)定，第一電離能較高

N的價(jià)電子為2s²2p³，2p軌道是半充滿，比較穩(wěn)定，第一電離能較高

。
（3）解釋Li的焰色現(xiàn)象：

受熱時(shí)，Li的內(nèi)層電子被激發(fā)躍遷至外層軌道，從外層軌道重新躍遷回內(nèi)層軌道時(shí)，以特定波段的光能放出能量

受熱時(shí)，Li的內(nèi)層電子被激發(fā)躍遷至外層軌道，從外層軌道重新躍遷回內(nèi)層軌道時(shí)，以特定波段的光能放出能量

。
（4）某種LETO材料晶體結(jié)構(gòu)示意圖如圖，晶體中O^2-與Ti⁴⁺的個(gè)數(shù)比m=

4：1

4：1

。研究團(tuán)隊(duì)向上述LETO材料中摻入Ce³⁺以改善其電化學(xué)性能，摻入Ce³⁺的LETO的化學(xué)式可表示為L(zhǎng)iCe_xEu_1-xTiO_m。摻入不同數(shù)量的Ce³⁺時(shí)，晶格參數(shù)發(fā)生相應(yīng)的變化如表所示：

x	0	0.005	0.010	0.020
V/nm3	0.3243	0.3244	0.3249	0.3255

請(qǐng)分析，隨x值的增大，晶格體積增大的原因可能是

Ce³⁺的半徑大于Eu³⁺的半徑，導(dǎo)致?lián)饺隒e³⁺的數(shù)目越多，晶格體積越大

Ce³⁺的半徑大于Eu³⁺的半徑，導(dǎo)致?lián)饺隒e³⁺的數(shù)目越多，晶格體積越大

。LETO材料依靠填充在TiO_m多面體層間的Li⁺的遷移導(dǎo)電，隨著x值的增大，推測(cè)材料的導(dǎo)電性能力將

增強(qiáng)

增強(qiáng)

（填“增強(qiáng)”“減弱”或“不變”）。
（5）Ni²⁺與Li⁺半徑大小接近，但在晶格中很難遷移，當(dāng)LETO材料中混有Ni²⁺時(shí)，Ni²⁺會(huì)部分取代

Li⁺

Li⁺

（填“Li⁺”“Ti⁴⁺”“Eu³⁺”或“O^2-”）的位置，這可能會(huì)導(dǎo)致

ABC

ABC

（填選項(xiàng)標(biāo)號(hào)）。
A．Li⁺在材料中遷移困難
B．充放電循環(huán)穩(wěn)定性欠佳
C．電容量損失